開機延遲時間測試：
開關電源使用的半導體功率器件，在上電和斷電時都會受到沖擊。所以需要對開關電源進行電源開關循環試驗，測試電源在滿載的情況下是否能連續承受開關操作下的沖擊，確保電源的耐久性。

測試條件：將被測電源放置在室溫環境中，輸入電壓115Vac/230Vac，輸出負載為滿載。將被測電源開關ON，持續時間為5s，然后將開關撥到OFF，持續時間5s，重復此過程。一次開關的過程為一個測試周期，整個試驗需持續至少5000個周期。試驗過程中每完成1000個周期，記錄被測開關電源的輸入功率和輸出電壓。待試驗結束后，如果待測產品在試驗前后的電氣性能沒有差異，則通過此試驗。

這需要測試設備具有足夠長的存儲，可以在保持較高采樣率的情況下進行長期波形捕捉。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)。若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓，則MOSFET導通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通；若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使晶體管截止。因此，IGBT**可靠與否主要由以下因素決定：

? IGBT柵極與發射極、集電極與發射極之間的電壓
? 流過IGBT集電極－發射極的電流
? IGBT的結溫

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